IT之家 9 月 10 日消息,日本信越化学当地时间本月 3 日宣布成功开发出用于氮化镓 GaN 外延生长的 300mmIT之家注:一般也称 12 英寸)的 QST 衬底,并已从近期 ">

信越 12 英寸氮化镓外延 QST 衬底出样,有助于降低 GaN 产品成本

  发布时间:2024-10-23 01:31:11   作者:玩站小弟   我要评论
fjvgvcl">IT之家 9 月 10 日消息,日本信越化学当地时间本月 3 日宣布成功开发出用于氮化镓 GaN 外延生长的 300mmIT之家注:一般也称 12 英寸)的 QST 衬底,并已从近期 。
fjvgvcl">IT之家 9 月 10 日消息,英寸延Q有助于降日本信越化学当地时间本月 3 日宣布成功开发出用于氮化镓 GaN 外延生长的氮化低 300mm(IT之家注:一般也称 12 英寸)的 QST 衬底,并已从近期开始向客户供应相关样品。镓外相较于以 12 英寸晶圆为主流的衬底出样产品成本硅半导体,氮化镓生产目前仍集中在 6 英寸与 8 英寸上,英寸延Q有助于降这其中部分是氮化低因为氮化镓和硅热存在热膨胀系数差异,大尺寸硅基衬底容易导致在其上生长的镓外氮化镓外延层出现翘曲与开裂。信越化学的衬底出样产品成本 QST 衬底技术源自美国企业 Qromis 的专利授权,这一复合材料具有同氮化镓更为接近的英寸延Q有助于降热膨胀系数,减少了大尺寸衬底上氮化镓外延层出现缺陷的氮化低风险,更适宜大厚度、镓外高电压氮化镓器件的衬底出样产品成本制造。信越化学此前已推出 6 英寸和 8 英寸的英寸延Q有助于降 QST 衬底,此次 12 英寸款开发成功有助于提升氮化镓生产规模、氮化低降低远期产线持续运行成本,镓外从而推低氮化镓产品的价格、加速氮化镓器件的普及。
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