什么是IGBT模块（什么是igbt）

导读 。什么是IGBT模块，什么是igbt很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！1、在BJT的输出伏安特性 。什么是IGBT模块，什么是igbt很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！1、在BJT的输出伏安特性曲线上，饱和状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小范围内。BJT在饱和状态工作时，总是希望该饱和范围越小越好，即要求输出电压——饱和压降越低越好。2、因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻，故为了降低饱和压降，就需要提高集电区掺杂浓度。但为了提高提高击穿电压，又需要减小集电区掺杂浓度，这是一个矛盾。3、为解决此矛盾，就发展出了外延片的技术，即是在低阻衬底上生长一层薄的较高电阻率的外延层，然后在外延层上制作BJT。总之，在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的，都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降。4、扩展资料5、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。6、IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。7、参考资料来源：百度百科-饱和状态本文到此讲解完毕了，希望对大家有帮助。

(责任编辑：国内新闻)